КТ683Б

КТ683, КТ683А, КТ683Б, КТ683В, КТ683Г, КТ683Д, КТ683Е

Високочастотний кремнієвий транзистор середньої потужності для роботи в перемикаючих і підсилюючих схемах

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрКТ683АКТ683БКТ683ВКТ683ГКТ683ДКТ683Е
Імпульсний струм колектора транзистора
IC-i
<2 А
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера
UCBO
<150 В<120 В<120 В<100 В<60 В<60 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<150 В<120 В<120 В<100 В<60 В<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1.2 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
40 ~ 12080 ~ 24040 ~ 12040 ~ 12080 ~ 240160 ~ 480
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера
ICB-R
<1 мкА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<50 МГц
Коефіцієнт шума
NF
<450 мдБ
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Потужність на колекторі транзистора з тепловідводом
PC-HS
<8 Вт