КТ645

КТ645, КТ645А, КТ645Б

Високочастотний кремнієвий транзистор середньої потужності для застосування в високочастотних генераторах і підсилювачах, в швидкодіючих імпульсних пристроях

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрКТ645АКТ645Б
Імпульсний струм колектора транзистора
IC-i
<600 мА
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера
UCBO
<60 В<40 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<60 В<40 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<500 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
20 ~ 200>80
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера
ICB-R
<10 мкА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<200 МГц
Коефіцієнт шума
NF
<500 мдБ
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Потужність на колекторі транзистора з тепловідводом
PC-HS
<1 Вт(не задано)