КТ639Б

КТ639, КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И

Високочастотний кремнієвий транзистор середньої потужності для застосування в підсилювачах низької частоти, підсилювачі потужності, відеопідсилювачах, імпульсних і перемикаючих пристроях

Documents

Опис

Параметри

ПараметрКТ639АКТ639БКТ639ВКТ639ГКТ639ДКТ639ЕКТ639ЖКТ639И
Імпульсний струм колектора транзистора
IC-i
<2 А
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера
UCBO
<45 В<45 В<45 В<60 В<60 В<100 В<100 В<30 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<45 В<45 В<45 В<60 В<60 В<100 В<100 В<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
40 ~ 10063 ~ 160100 ~ 25040 ~ 10063 ~ 16040 ~ 10063 ~ 160180 ~ 400
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера
ICB-R
<100 нА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<80 МГц
Коефіцієнт шума
NF
<500 мдБ
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Потужність на колекторі транзистора з тепловідводом
PC-HS
<12.5 Вт<12.5 Вт<12.5 Вт<12.5 Вт<12.5 Вт(не задано)(не задано)(не задано)