КТ630

КТ630, КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е

Високочастотний кремнієвий транзистор середньої потужності для роботи в підсилювальних та імпульсних схемах

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрКТ630АКТ630БКТ630ВКТ630ГКТ630ДКТ630Е
Імпульсний струм колектора транзистора
IC-i
<2 А
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера
UCBO
<120 В<120 В<150 В<100 В<60 В<60 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<120 В<120 В<150 В<100 В<60 В<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<800 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
40 ~ 12080 ~ 24040 ~ 12040 ~ 12080 ~ 240160 ~ 480
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера
ICB-R
<1 мкА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<50 МГц
Коефіцієнт шума
NF
<300 мдБ
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN