КТ602

КТ602, КТ602А(М), КТ602Б(М), КТ602В, КТ602Г

Високочастотний кремнієвий транзистор середньої потужності для схем посилення і генерування сигналів

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрКТ602А(М)КТ602Б(М)КТ602ВКТ602Г
Імпульсний струм колектора транзистора
IC-i
<500 мА<500 мА<300 мА<300 мА
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера
UCBO
<120 В<120 В<80 В<80 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<100 В<100 В<80 В<80 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<850 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
20 ~ 8050 ~ 20015 ~ 80>50
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера
ICB-R
<70 мкА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<150 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Потужність на колекторі транзистора з тепловідводом
PC-HS
<2.8 Вт