КТ503

КТ503, КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е

Кремнієвий транзистор середньої потужності для роботи в ПНЧ, операційних і диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних схемах

Documents

Опис

Параметри

ПараметрКТ503АКТ503БКТ503ВКТ503ГКТ503ДКТ503Е
Імпульсний струм колектора транзистора
IC-i
<350 мА
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера
UCBO
<40 В<40 В<60 В<60 В<80 В<100 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<25 В<25 В<40 В<40 В<60 В<80 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<350 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
40 ~ 12080 ~ 24040 ~ 12080 ~ 24040 ~ 12040 ~ 120
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера
ICB-R
<1 мкА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<350 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN