КТ502Б

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		КТ502А	КТ502Б	КТ502В	КТ502Г	КТ502Д	КТ502Е
Імпульсний струм колектора транзистора	I_C-i	<350 мА
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера	U_CBO	<40 В	<40 В	<60 В	<60 В	<80 В	<90 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<25 В	<25 В	<40 В	<40 В	<60 В	<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<350 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	40 ~ 120	80 ~ 240	40 ~ 120	80 ~ 240	40 ~ 120	40 ~ 120
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера	I_CB-R	<1 мкА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<350 МГц
Структура біполярного транзистора	Структура	PNP