КТ501Б

КТ501, КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М

Кремнієвий транзистор середньої потужності для роботи в ПНЧ з нормованим коефіцієнтом шуму, операційних і диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних схемах

Documents

Этикетка КТ501

Опис

Параметри

Параметр		КТ501А	КТ501Б	КТ501В	КТ501Г	КТ501Д	КТ501Е	КТ501Ж	КТ501И	КТ501К	КТ501Л	КТ501М
Імпульсний струм колектора транзистора	I_C-i	<500 мА
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера	U_CBO	<15 В	<15 В	<15 В	<30 В	<30 В	<30 В	<45 В	<45 В	<45 В	<60 В	<60 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<15 В	<15 В	<15 В	<30 В	<30 В	<30 В	<45 В	<45 В	<45 В	<60 В	<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<350 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	20 ~ 60	40 ~ 120	80 ~ 240	20 ~ 60	40 ~ 120	80 ~ 240	20 ~ 60	40 ~ 120	80 ~ 240	20 ~ 60	40 ~ 120
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера	I_CB-R	<1 мкА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<5 МГц
Коефіцієнт шума	N_F	(не задано)	(не задано)	<4 дБ	(не задано)	(не задано)	<4 дБ	(не задано)	(не задано)	<4 дБ	(не задано)	(не задано)
Структура біполярного транзистора	Структура	PNP