КТ342Б(М)

КТ342, КТ342А(М), КТ342Б(М), КТ342В(М), КТ342ГМ, КТ342ДМ

Високочастотний малопотужний кремнієвий транзистор для посилення і генерування сигналів в широкому діапазоні частот

Documents

Опис

Параметри

ПараметрКТ342А(М)КТ342Б(М)КТ342В(М)КТ342ГМКТ342ДМ
Імпульсний струм колектора транзистора
IC-i
<300 мА
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера
UCBO
<25 В<20 В<10 В<25 В<20 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<30 В<25 В<10 В<30 В<25 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<250 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
100 ~ 250200 ~ 500400 ~ 1000100 ~ 250200 ~ 500
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера
ICB-R
<50 нА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<250 МГц<300 МГц<300 МГц<200 МГц<200 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN