КТ339Б

КТ339, КТ339А(М), КТ339Б, КТ339В, КТ339Г, КТ339Д

Високочастотний малопотужний кремнієвий транзистор для роботи в схемах посилення високої частоти

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрКТ339А(М)КТ339БКТ339ВКТ339ГКТ339Д
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера
UCBO
<40 В<25 В<40 В<40 В<40 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<25 В<15 В<25 В<25 В<25 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<260 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>25>15>25>40>15
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера
ICB-R
<1 мкА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<300 МГц<250 МГц<450 МГц<250 МГц<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN