ГТ313

ГТ313, ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В

Високочастотний малопотужний германієвий транзистор для посилення сигналів високої і надвисокої частот

Documents

Опис

Параметри

ПараметрГТ313АГТ313БГТ313В
Напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора і розімкнутої ланцюга емітера
UCBO
<15 В
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<15 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<100 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
20 ~ 25020 ~ 25030 ~ 170
Зворотний струм колектора. Струм через колекторний перехід при заданому зворотному напрузі колектор-база і розімкнутому виводі емітера
ICB-R
<5 мкА
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<300 МГц<450 МГц<350 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP