КТ315

Documents

Parameter		КТ315А	КТ315Б	КТ315В	КТ315Г	КТ315Г1	КТ315Д	КТ315Е	КТ315Ж	КТ315И	КТ315Н	КТ315Р
Collector-base voltage at a given reverse collector current and open emitter circuit	U_CBO	<25 V	<20 V	<40 V	<35 V	<35 V	<40 V	<35 V	<20 V	<60 V	<20 V	<35 V
Voltage between the collector and the emitter of the transistor with an open base circuit and a given emitter current	U_CEO	<25 V	<20 V	<40 V	<35 V	<35 V	<40 V	<35 V	<20 V	<60 V	<20 V	<35 V
Constant power dissipated on the transistor collector	P_C	<150 mW	<150 mW	<150 mW	<150 mW	<150 mW	<150 mW	<150 mW	<100 mW	<100 mW	<100 mW	<100 mW
Static current transfer coefficient of bipolar transistor	hFE	30 ~ 120	50 ~ 350	30 ~ 120	50 ~ 350	100 ~ 350	20 ~ 90	50 ~ 350	30 ~ 250	>30	50 ~ 350	150 ~ 350
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_CB-R	<500 nA	<500 nA	<500 nA	<500 nA	<500 nA	<600 nA	<600 nA	<10 nA	<100 nA	<600 nA	<500 nA
Limit frequency of current transfer coefficient of a bipolar transistor	f_h21	<250 MHz
Bipolar transistor structure	Structure	NPN

Nothing found