2Т603АОС

КТ603, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, КТ603И, 2Т603АОС, 2Т603БОС

Medium-power high-frequency silicon transistor for operation in pulsed, switching and amplifying high-frequency circuits

Documents

Description

Parameters

ParameterКТ603АКТ603БКТ603ВКТ603ГКТ603ДКТ603ЕКТ603И2Т603АОС2Т603БОС
Collector surge current
IC-i
<600 mA<600 mA<600 mA<800 mA<600 mA<600 mA(not set)(not set)(not set)
Collector-base voltage at a given reverse collector current and open emitter circuit
UCBO
<30 V<30 V<15 V<15 V<10 V<10 V<15 V<15 V(not set)
Voltage between the collector and the emitter of the transistor with an open base circuit and a given emitter current
UCEO
<30 V<30 V<15 V<15 V<10 V<10 V<15 V<15 V(not set)
Constant power dissipated on the transistor collector
PC
<500 mW
Static current transfer coefficient of bipolar transistor
hFE
10 ~ 80>6010 ~ 80>6020 ~ 8060 ~ 20060 ~ 18060 ~ 180(not set)
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
ICB-R
<10 µA<10 µA<5 µA<5 µA<1 µA<1 µA(not set)(not set)(not set)
Limit frequency of current transfer coefficient of a bipolar transistor
fh21
<200 MHz
Noise factor
NF
<1 dB
Bipolar transistor structure
Structure
NPN