МП16А

МП16, МП16А, МП16Б, МП16ЯI, МП16ЯII

Germanium low-frequency p-n-p switching transistors

Documents

Description

Parameters

ParameterМП16АМП16БМП16ЯIМП16ЯII
Collector surge current
IC-i
<300 mA
Voltage between the collector and the emitter of the transistor with an open base circuit and a given emitter current
UCEO
<15 V
Constant power dissipated on the transistor collector
PC
<200 mW<200 mW<150 mW<150 mW
Static current transfer coefficient of bipolar transistor
hFE
30 ~ 5045 ~ 10020 ~ 7010 ~ 70
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
ICB-R
25 µA
Limit frequency of current transfer coefficient of a bipolar transistor
fh21
1 MHz2 MHz1 MHz1 MHz
Case temperature
tC
-60 ~ 70
Bipolar transistor structure
Structure
PNP
Collector-emitter pulse voltage with base disconnected
UCEO-i
(not set)(not set)<30 V<30 V