КП307
КП307, КП307А, КП307Б, КП307В, КП307Г, КП307Д, КП307Е, КП307Ж
This page is planned to add content in the near future.
Please, hit "Vote" button if you interested in it, so we can know which pages must be filled out first of all. Up to 10 votes per day are accepted from one IP address
Description
Parameters
| Parameter | КП307А | КП307Б | КП307В | КП307Г | КП307Д | КП307Е | КП307Ж | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Noise factor | NF | 6 dBпри f = 0.4 ГГц | 6 dBпри f = 0.4 ГГц | |||||
Power dissipation | P | <250 mW | ||||||
Slope of a field effect transistor | S1-S2/I | 4 ~ 9при Uси = 10 В | 5 ~ 10при Uси = 10 В | 5 ~ 10при Uси = 10 В | 6 ~ 12при Uси = 10 В | 6 ~ 12при Uси = 10 В | 3 ~ 8при Uси = 10 В | >4при Uси = 10 В |
Initial drain current of the field effect transistor | I01-I02 | 3 A ~ 9 Aпри U = 10 В | 5 A ~ 15 Aпри U = 10 В | 5 A ~ 15 Aпри U = 10 В | 8 A ~ 24 Aпри U = 10 В | 8 A ~ 24 Aпри U = 10 В | 1.5 A ~ 5 Aпри U = 10 В | 3 A ~ 25 Aпри U = 10 В |
Gate leakage current with connected drain and source | IG | 1 nAпри Uсз = 10В | 1 nAпри Uсз = 10В | 1 nAпри Uсз = 10В | 1 nAпри Uсз = 10В | 1 nAпри Uсз = 10В | 1 nAпри Uсз = 10В | 100 pAпри Uсз = 10В |
Input capacitance of field effect transistor | Ciss | 5 pF | ||||||
Feedthrough capacitance | C12 | 1.5 pF | ||||||
Continuous voltage between gate and drain | UGD | <27 V | ||||||
Continuous voltage between gate and source | UGS | <27 V | ||||||
Continuous voltage between drain and source | UDSS | <27 V | ||||||
Continuous drain current | IDSS | <25 mA | ||||||
Technology of field-effect transistor | Technology | JFET | ||||||
FET channel type | Channel | N-ch | ||||||