Доход от майнинга

КП303Б

КП303, КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И

This page is planned to add content in the near future.

Please, hit "Vote" button if you interested in it, so we can know which pages must be filled out first of all. Up to 10 votes per day are accepted from one IP address

Description

Parameters

Parameter		КП303А	КП303Б	КП303В	КП303Г	КП303Д	КП303Е	КП303Ж	КП303И
Noise factor	N_F					4 dBпри f = 0.1 ГГц	4 dBпри f = 0.1 ГГц
Power dissipation	P	<200 mW
Slope of a field effect transistor	S1-S2/I	1 ~ 4при Iс = 10 мА	1 ~ 4при Iс = 10 мА	2 ~ 5при Iс = 10 мА	3 ~ 7при Iс = 10 мА	>2.6при Iс = 10 мА	>4при Iс = 10 мА	1 ~ 4при Iс = 10 мА	2 ~ 6при Iс = 10 мА
Initial drain current of the field effect transistor	I₀₁-I₀₂	500 mA ~ 2.5 Aпри U = 10 В	500 mA ~ 2.5 Aпри U = 10 В	1.5 A ~ 5 Aпри U = 10 В	3.5 A ~ 12 Aпри U = 10 В	3 A ~ 9 Aпри U = 10 В	5 A ~ 20 Aпри U = 10 В	300 mA ~ 3 Aпри U = 10 В	1.5 A ~ 5 Aпри U = 10 В
Gate leakage current with connected drain and source	I_G	1 nAпри Uсз = 10В	1 nAпри Uсз = 10В	1 nAпри Uсз = 10В	100 pAпри Uсз = 10В	1 nAпри Uсз = 10В	1 nAпри Uсз = 10В	5 nAпри Uсз = 10В	5 nAпри Uсз = 10В
Input capacitance of field effect transistor	C_iss	6 pF
Feedthrough capacitance	C₁₂	2 pF
Continuous voltage between gate and drain	U_GD	<30 V
Continuous voltage between gate and source	U_GS	<30 V
Continuous voltage between drain and source	U_DSS	<25 V
Continuous drain current	I_DSS	<20 mA
Technology of field-effect transistor	Technology	JFET
FET channel type	Channel	N-ch