2П201Б-1
КП201, 2П201А-1, 2П201Б-1, 2П201В-1, 2П201Г-1, 2П201Д-1, КП201Е-1, КП201Ж-1, КП201И-1, КП201К-1, КП201Л-1
This page is planned to add content in the near future.
Please, hit "Vote" button if you interested in it, so we can know which pages must be filled out first of all. Up to 10 votes per day are accepted from one IP address
Description
Parameters
| Parameter | 2П201А-1 | 2П201Б-1 | 2П201В-1 | 2П201Г-1 | 2П201Д-1 | КП201Е-1 | КП201Ж-1 | КП201И-1 | КП201К-1 | КП201Л-1 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Noise factor | NF | 3 dBпри f = 1кГц | |||||||||
Power dissipation | P | <60 mW | |||||||||
Slope of a field effect transistor | S1-S2/I | 0.4 ~ 1.8при Uси = 10 В | 0.7 ~ 2.1при Uси = 10 В | 0.8 ~ 2.6при Uси = 10 В | 1.4 ~ 3.5при Uси = 10 В | 1.8 ~ 3.8при Uси = 10 В | 0.4 ~ 1.8при Uси = 10 В | 0.7 ~ 2.1при Uси = 10 В | 0.8 ~ 2.6при Uси = 10 В | 1.4 ~ 3.5при Uси = 10 В | 1.8 ~ 3.8при Uси = 10 В |
Initial drain current of the field effect transistor | I01-I02 | 300 mA ~ 650 mAпри U = 10 В | 550 mA ~ 1.2 Aпри U = 10 В | 1 A ~ 2.1 Aпри U = 10 В | 1.7 A ~ 3.8 Aпри U = 10 В | 3 A ~ 6 Aпри U = 10 В | 300 mA ~ 800 mAпри U = 10 В | 550 mA ~ 1.2 Aпри U = 10 В | 1 A ~ 2.1 Aпри U = 10 В | 1.7 A ~ 3.8 Aпри U = 10 В | 3 A ~ 6 Aпри U = 10 В |
Gate leakage current with connected drain and source | IG | 5 nAпри Uсз = 5В | 5 nAпри Uсз = 5В | 5 nAпри Uсз = 5В | 5 nAпри Uсз = 5В | 5 nAпри Uсз = 5В | 10 nAпри Uсз = 5В | 10 nAпри Uсз = 5В | 10 nAпри Uсз = 5В | 10 nAпри Uсз = 5В | 10 nAпри Uсз = 5В |
Input capacitance of field effect transistor | Ciss | 17 pF | 17 pF | 17 pF | 17 pF | 17 pF | 20 pF | 20 pF | 20 pF | 20 pF | 20 pF |
Feedthrough capacitance | C12 | 8 pF | |||||||||
Continuous voltage between gate and drain | UGD | <15 V | |||||||||
Continuous voltage between gate and source | UGS | <500 mV | |||||||||
Continuous voltage between drain and source | UDSS | <10 V | |||||||||
Technology of field-effect transistor | Technology | JFET | |||||||||
FET channel type | Channel | P-ch | |||||||||