Доход от майнинга

2ПС104Б

КПС104, 2ПС104А, 2ПС104Б, 2ПС104В, 2ПС104Г, 2ПС104Д, 2ПС104Е, КПС104Ж, КПС104И, КПС104К, КПС104Л

This page is planned to add content in the near future.

Please, hit "Vote" button if you interested in it, so we can know which pages must be filled out first of all. Up to 10 votes per day are accepted from one IP address

Description

Parameters

Parameter		2ПС104А	2ПС104Б	2ПС104В	2ПС104Г	2ПС104Д	2ПС104Е	КПС104Ж	КПС104И	КПС104К	КПС104Л
Noise factor	N_F
Power dissipation	P	<45 mW
Slope of a field effect transistor	S1-S2/I	>0.35при Uси = 10 В	>0.35при Uси = 10 В	>0.65при Uси = 10 В	>1при Uси = 10 В	>1при Uси = 10 В	>0.65при Uси = 10 В	>0.85при Uси = 10 В	>0.85при Uси = 10 В	>1.05при Uси = 10 В	>1.05при Uси = 10 В
Initial drain current of the field effect transistor	I₀₁-I₀₂	100 mA ~ 800 mAпри U = 10 В	100 mA ~ 800 mAпри U = 10 В	350 mA ~ 1.5 Aпри U = 10 В	1.1 A ~ 3 Aпри U = 10 В	1.1 A ~ 3 Aпри U = 10 В	350 mA ~ 3 Aпри U = 10 В	600 mA ~ 1.5 Aпри U = 10 В	600 mA ~ 1.5 Aпри U = 10 В	1.1 A ~ 3 Aпри U = 10 В	1.1 A ~ 3 Aпри U = 10 В
Gate leakage current with connected drain and source	I_G	300 pAпри Uсз = 10В	1 nAпри Uсз = 10В	1 nAпри Uсз = 10В	1 nAпри Uсз = 10В	1 nAпри Uсз = 10В	300 pAпри Uсз = 10В	100 pAпри Uсз = 10В	1 nAпри Uсз = 10В	100 pAпри Uсз = 10В	1.1 nAпри Uсз = 10В
Input capacitance of field effect transistor	C_iss	4.5 pF
Feedthrough capacitance	C₁₂	1.5 pF
Continuous voltage between gate and drain	U_GD	<30 V	<30 V	<30 V	<30 V	<30 V	<30 V	<20 V	<20 V	<20 V	<20 V
Continuous voltage between gate and source	U_GS	<30 V	<30 V	<30 V	<30 V	<30 V	<30 V	(not set)	(not set)	(not set)	(not set)
Continuous voltage between drain and source	U_DSS	<25 V	<25 V	<25 V	<25 V	<25 V	<25 V	<15 V	<15 V	<15 V	<15 V
Technology of field-effect transistor	Technology	JFET
FET channel type	Channel	N-ch