Доход от майнинга

2П103А9

КП103, 2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д, КП103Е, КП103Ж, КП103И, КП103К, КП103Л, КП103М, 2П103А9, 2П103Б9, 2П103В9, 2П103Г9, 2П103Д9

This page is planned to add content in the near future.

Please, hit "Vote" button if you interested in it, so we can know which pages must be filled out first of all. Up to 10 votes per day are accepted from one IP address

Description

Parameters

Parameter		2П103А	2П103Б	2П103В	2П103Г	2П103Д	КП103Е	КП103Ж	КП103И	КП103К	КП103Л	КП103М	2П103А9	2П103Б9	2П103В9	2П103Г9	2П103Д9
Noise factor	N_F	3 dBпри f = 1кГц
Power dissipation	P	<7 mW	<12 mW	<21 mW	(not set)	(not set)	<7 mW	<12 mW	<21 mW	<38 mW	<66 mW	<120 mW	<80 mW	<80 mW	<80 mW	<80 mW	<80 mW
Slope of a field effect transistor	S1-S2/I	0.7 ~ 2.1при Uси = 10 В	0.8 ~ 2.6при Uси = 10 В	1.4 ~ 3.5при Uси = 10 В	1.8 ~ 3.8при Uси = 10 В	2 ~ 4.4при Uси = 10 В	0.4 ~ 2.4при Uси = 10 В	0.5 ~ 2.8при Uси = 10 В	0.8 ~ 2.6при Uси = 10 В	1 ~ 3при Uси = 10 В	1.2 ~ 4.2при Uси = 10 В	1.3 ~ 4.4при Uси = 10 В	0.4 ~ 1.8при Uси = 10 В	0.7 ~ 2.1при Uси = 10 В	0.8 ~ 2.6при Uси = 10 В	1.4 ~ 3.5при Uси = 10 В	1.8 ~ 3.8при Uси = 10 В
Initial drain current of the field effect transistor	I₀₁-I₀₂	550 mA ~ 1.2 Aпри U = 10 В	1 A ~ 2.1 Aпри U = 10 В	1.7 A ~ 3.8 Aпри U = 10 В	3 A ~ 6.6 Aпри U = 10 В	5.4 A ~ 12 Aпри U = 10 В	300 mA ~ 2.5 Aпри U = 10 В	350 mA ~ 3.8 Aпри U = 10 В	400 mA ~ 4 Aпри U = 10 В	1 A ~ 5.5 Aпри U = 10 В	2.7 A ~ 10.5 Aпри U = 10 В	3 A ~ 12 Aпри U = 10 В	>650 mAпри U = 10 В	>1.2 Aпри U = 10 В	>2.1 Aпри U = 10 В	>3.8 Aпри U = 10 В	>6 Aпри U = 10 В
Gate leakage current with connected drain and source	I_G	20 nAпри Uсз = 10В	10 nAпри Uсз = 5В	10 nAпри Uсз = 5В	10 nAпри Uсз = 5В	10 nAпри Uсз = 5В	20 nAпри Uсз = 10В	20 nAпри Uсз = 10В	20 nAпри Uсз = 10В	20 nAпри Uсз = 10В	20 nAпри Uсз = 10В	20 nAпри Uсз = 5В	5 nA	5 nA	5 nA	5 nA	5 nA
Input capacitance of field effect transistor	C_iss	17 pF	17 pF	17 pF	17 pF	17 pF	20 pF	20 pF	20 pF	20 pF	20 pF	20 pF	17 pF	17 pF	17 pF	17 pF	17 pF
Feedthrough capacitance	C₁₂	8 pF	8 pF	8 pF	8 pF	8 pF	8 pF	8 pF	8 pF	8 pF	8 pF	8 pF	(not set)	(not set)	(not set)	(not set)	(not set)
Continuous voltage between gate and drain	U_GD	<15 V	<15 V	<15 V	<17 V	<17 V	<15 V	<15 V	<15 V	<15 V	<15 V	<15 V	(not set)	(not set)	(not set)	(not set)	(not set)
Continuous voltage between gate and source	U_GS	<10 V	<10 V	<10 V	<10 V	<10 V	(not set)	(not set)	(not set)	(not set)	(not set)	(not set)	<10 V	<10 V	<10 V	<10 V	<10 V
Continuous voltage between drain and source	U_DSS	<10 V
Technology of field-effect transistor	Technology	JFET
FET channel type	Channel	P-ch