КТ838

КТ838, 1Т838А

High power silicon transistor for horizontal cascades of TVs and video control devices

Documents

Description

Parameters

Parameter1Т838А
Collector surge current
IC-i
<7.5 A
Static current transfer coefficient of bipolar transistor
hFE
>4
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
ICB-R
<1 mA
Limit frequency of current transfer coefficient of a bipolar transistor
fh21
<3 MHz
Noise factor
NF
<5 dB
Bipolar transistor structure
Structure
NPN
Collector-base pulse voltage
UCBO-i
<1.5 kV
Transistor collector power with heatsink
PC-HS
<12.5 W
Collector-emitter pulse voltage with base disconnected
UCEO-i
<1.5 kV