КТ812

КТ812, КТ812А, КТ812Б, КТ812В, 2Т812А, 2Т812Б

High power silicon transistor for horizontal output stages of televisions

Documents

Description

Parameters

ParameterКТ812АКТ812БКТ812В2Т812А2Т812Б
Collector surge current
IC-i
<12 A<12 A<12 A<17 A<17 A
Collector-base voltage at a given reverse collector current and open emitter circuit
UCBO
<700 V<500 V<300 V<700 V<500 V
Voltage between the collector and the emitter of the transistor with an open base circuit and a given emitter current
UCEO
<700 V<500 V<300 V<700 V<500 V
Static current transfer coefficient of bipolar transistor
hFE
>4>4>10>5>5
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
ICB-R
<5 mA
Limit frequency of current transfer coefficient of a bipolar transistor
fh21
<3 MHz
Noise factor
NF
<2.5 dB
Bipolar transistor structure
Structure
NPN
Transistor collector power with heatsink
PC-HS
<50 W