КТ803А

КТ803, КТ803А

High-power silicon transistor for operation in direct current amplifiers, horizontal generators, power supplies

Documents

Description

Parameters

ParameterКТ803А
Collector-base voltage at a given reverse collector current and open emitter circuit
UCBO
<60 V
Static current transfer coefficient of bipolar transistor
hFE
10 ~ 70
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
ICB-R
<5 mA
Limit frequency of current transfer coefficient of a bipolar transistor
fh21
<20 MHz
Noise factor
NF
<2.5 dB
Bipolar transistor structure
Structure
NPN
Transistor collector power with heatsink
PC-HS
<60 W
Collector-emitter pulse voltage with base disconnected
UCEO-i
<80 V