КТ686Б

Documents

Parameter		КТ686А	КТ686Б	КТ686В	КТ686Г	КТ686Д	КТ686Е	КТ686Ж
Collector surge current	I_C-i	<1.5 A
Collector-base voltage at a given reverse collector current and open emitter circuit	U_CBO	<50 V	<50 V	<50 V	<30 V	<30 V	<30 V	<30 V
Voltage between the collector and the emitter of the transistor with an open base circuit and a given emitter current	U_CEO	<45 V	<45 V	<45 V	<25 V	<25 V	<25 V	<25 V
Constant power dissipated on the transistor collector	P_C	<625 mW
Static current transfer coefficient of bipolar transistor	hFE	100 ~ 250	160 ~ 400	250 ~ 630	100 ~ 250	160 ~ 400	250 ~ 630	100 ~ 250
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_CB-R	<100 nA
Limit frequency of current transfer coefficient of a bipolar transistor	f_h21	<100 MHz
Noise factor	N_F	<700 mdB
Bipolar transistor structure	Structure	PNP
Transistor collector power with heatsink	P_C-HS	<1.4 W

Nothing found