КТ685

Documents

Parameter		КТ685А	КТ685Б	КТ685В	КТ685Г	КТ685д	КТ685Е	КТ685Ж
Collector-base voltage at a given reverse collector current and open emitter circuit	U_CBO	<60 V	<60 V	<60 V	<60 V	<30 V	<30 V	<30 V
Voltage between the collector and the emitter of the transistor with an open base circuit and a given emitter current	U_CEO	<40 V	<60 V	<40 V	<60 V	<25 V	<25 V	<25 V
Constant power dissipated on the transistor collector	P_C	<600 mW
Static current transfer coefficient of bipolar transistor	hFE	40 ~ 120	40 ~ 120	100 ~ 300	100 ~ 300	70 ~ 200	40 ~ 120	100 ~ 300
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_CB-R	<20 nA	<10 nA	<20 nA	<10 nA	<20 nA	<20 nA	<20 nA
Limit frequency of current transfer coefficient of a bipolar transistor	f_h21	<200 MHz	<200 MHz	<200 MHz	<200 MHz	<300 MHz	<250 MHz	<250 MHz
Noise factor	N_F	<400 mdB	<400 mdB	<400 mdB	(not set)	<300 mdB	<300 mdB	<300 mdB
Bipolar transistor structure	Structure	PNP

Nothing found