КТ503А

КТ503, КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е

Medium-power silicon transistor for operation in ULF, operational and differential amplifiers, converters, pulse circuits

Documents

Description

Parameters

ParameterКТ503АКТ503БКТ503ВКТ503ГКТ503ДКТ503Е
Collector surge current
IC-i
<350 mA
Collector-base voltage at a given reverse collector current and open emitter circuit
UCBO
<40 V<40 V<60 V<60 V<80 V<100 V
Voltage between the collector and the emitter of the transistor with an open base circuit and a given emitter current
UCEO
<25 V<25 V<40 V<40 V<60 V<80 V
Constant power dissipated on the transistor collector
PC
<350 mW
Static current transfer coefficient of bipolar transistor
hFE
40 ~ 12080 ~ 24040 ~ 12080 ~ 24040 ~ 12040 ~ 120
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
ICB-R
<1 µA
Limit frequency of current transfer coefficient of a bipolar transistor
fh21
<350 MHz
Bipolar transistor structure
Structure
NPN