Доход от майнинга

КТ501А

КТ501, КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М

Medium-power silicon transistor for operation in the ULF with a normalized noise figure, operational and differential amplifiers, converters, pulse circuits

Documents

Description

Parameters

ParameterКТ501АКТ501БКТ501ВКТ501ГКТ501ДКТ501ЕКТ501ЖКТ501ИКТ501ККТ501ЛКТ501М
Collector surge current
IC-i
<500 mA
Collector-base voltage at a given reverse collector current and open emitter circuit
UCBO
<15 V<15 V<15 V<30 V<30 V<30 V<45 V<45 V<45 V<60 V<60 V
Voltage between the collector and the emitter of the transistor with an open base circuit and a given emitter current
UCEO
<15 V<15 V<15 V<30 V<30 V<30 V<45 V<45 V<45 V<60 V<60 V
Constant power dissipated on the transistor collector
PC
<350 mW
Static current transfer coefficient of bipolar transistor
hFE
20 ~ 6040 ~ 12080 ~ 24020 ~ 6040 ~ 12080 ~ 24020 ~ 6040 ~ 12080 ~ 24020 ~ 6040 ~ 120
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
ICB-R
<1 µA
Limit frequency of current transfer coefficient of a bipolar transistor
fh21
<5 MHz
Noise factor
NF
(not set)(not set)<4 dB(not set)(not set)<4 dB(not set)(not set)<4 dB(not set)(not set)
Bipolar transistor structure
Structure
PNP