КТ342Б(М)

Documents

Parameter		КТ342А(М)	КТ342Б(М)	КТ342В(М)	КТ342ГМ	КТ342ДМ
Collector surge current	I_C-i	<300 mA
Collector-base voltage at a given reverse collector current and open emitter circuit	U_CBO	<25 V	<20 V	<10 V	<25 V	<20 V
Voltage between the collector and the emitter of the transistor with an open base circuit and a given emitter current	U_CEO	<30 V	<25 V	<10 V	<30 V	<25 V
Constant power dissipated on the transistor collector	P_C	<250 mW
Static current transfer coefficient of bipolar transistor	hFE	100 ~ 250	200 ~ 500	400 ~ 1000	100 ~ 250	200 ~ 500
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_CB-R	<50 nA
Limit frequency of current transfer coefficient of a bipolar transistor	f_h21	<250 MHz	<300 MHz	<300 MHz	<200 MHz	<200 MHz
Bipolar transistor structure	Structure	NPN

Nothing found