Доход от майнинга

КТ342А(М)

КТ342, КТ342А(М), КТ342Б(М), КТ342В(М), КТ342ГМ, КТ342ДМ

High-frequency low-power silicon transistor for amplification and generation of signals in a wide frequency range

Documents

Description

Parameters

ParameterКТ342А(М)КТ342Б(М)КТ342В(М)КТ342ГМКТ342ДМ
Collector surge current
IC-i
<300 mA
Collector-base voltage at a given reverse collector current and open emitter circuit
UCBO
<25 V<20 V<10 V<25 V<20 V
Voltage between the collector and the emitter of the transistor with an open base circuit and a given emitter current
UCEO
<30 V<25 V<10 V<30 V<25 V
Constant power dissipated on the transistor collector
PC
<250 mW
Static current transfer coefficient of bipolar transistor
hFE
100 ~ 250200 ~ 500400 ~ 1000100 ~ 250200 ~ 500
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
ICB-R
<50 nA
Limit frequency of current transfer coefficient of a bipolar transistor
fh21
<250 MHz<300 MHz<300 MHz<200 MHz<200 MHz
Bipolar transistor structure
Structure
NPN