КТ3102Б(М)

КТ3102, КТ3102А(М), КТ3102Б(М), КТ3102В(М), КТ3102Г(М), КТ3102Д(М), КТ3102Е(М), КТ3102Ж(М), КТ3102И(М), КТ3102К(М)

High-frequency low-power silicon transistor with a normalized noise level at a frequency of 1 kHz for operation in amplifying and generating RF circuits; operation in inverse mode is allowed

Documents

Description

Parameters

ParameterКТ3102А(М)КТ3102Б(М)КТ3102В(М)КТ3102Г(М)КТ3102Д(М)КТ3102Е(М)КТ3102Ж(М)КТ3102И(М)КТ3102К(М)
Collector surge current
IC-i
<200 mA
Collector-base voltage at a given reverse collector current and open emitter circuit
UCBO
<50 V<50 V<30 V<20 V<30 V<20 V<20 V<20 V<20 V
Voltage between the collector and the emitter of the transistor with an open base circuit and a given emitter current
UCEO
<50 V<50 V<30 V<20 V<30 V<20 V<20 V<20 V<20 V
Constant power dissipated on the transistor collector
PC
<250 mW
Static current transfer coefficient of bipolar transistor
hFE
100 ~ 200200 ~ 500200 ~ 500400 ~ 1000200 ~ 500400 ~ 1000100 ~ 250200 ~ 500200 ~ 500
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
ICB-R
<50 nA<50 nA<15 nA<15 nA<15 nA<15 nA<50 nA<50 nA<15 nA
Limit frequency of current transfer coefficient of a bipolar transistor
fh21
<150 MHz
Noise factor
NF
<10 dB<10 dB<10 dB<10 dB<4 dB<4 dB(not set)(not set)(not set)
Bipolar transistor structure
Structure
NPN