КТ3102Б(М)
КТ3102, КТ3102А(М), КТ3102Б(М), КТ3102В(М), КТ3102Г(М), КТ3102Д(М), КТ3102Е(М), КТ3102Ж(М), КТ3102И(М), КТ3102К(М)
High-frequency low-power silicon transistor with a normalized noise level at a frequency of 1 kHz for operation in amplifying and generating RF circuits; operation in inverse mode is allowed
Documents
Description
Parameters
| Parameter | КТ3102А(М) | КТ3102Б(М) | КТ3102В(М) | КТ3102Г(М) | КТ3102Д(М) | КТ3102Е(М) | КТ3102Ж(М) | КТ3102И(М) | КТ3102К(М) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Collector surge current | IC-i | <200 mA | ||||||||
Collector-base voltage at a given reverse collector current and open emitter circuit | UCBO | <50 V | <50 V | <30 V | <20 V | <30 V | <20 V | <20 V | <20 V | <20 V |
Voltage between the collector and the emitter of the transistor with an open base circuit and a given emitter current | UCEO | <50 V | <50 V | <30 V | <20 V | <30 V | <20 V | <20 V | <20 V | <20 V |
Constant power dissipated on the transistor collector | PC | <250 mW | ||||||||
Static current transfer coefficient of bipolar transistor | hFE | 100 ~ 200 | 200 ~ 500 | 200 ~ 500 | 400 ~ 1000 | 200 ~ 500 | 400 ~ 1000 | 100 ~ 250 | 200 ~ 500 | 200 ~ 500 |
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | ICB-R | <50 nA | <50 nA | <15 nA | <15 nA | <15 nA | <15 nA | <50 nA | <50 nA | <15 nA |
Limit frequency of current transfer coefficient of a bipolar transistor | fh21 | <150 MHz | ||||||||
Noise factor | NF | <10 dB | <10 dB | <10 dB | <10 dB | <4 dB | <4 dB | (not set) | (not set) | (not set) |
Bipolar transistor structure | Structure | NPN | ||||||||