Доход от майнинга

КТ209Б

КТ209, КТ209А, КТ209Б, КТ209Б1, КТ209В, КТ209В1, КТ209В2, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М

Low-power silicon transistor for operation in amplifying and switching devices

Documents

Description

Parameters

ParameterКТ209АКТ209БКТ209Б1КТ209ВКТ209В1КТ209В2КТ209ГКТ209ДКТ209ЕКТ209ЖКТ209ИКТ209ККТ209ЛКТ209М
Collector surge current
IC-i
<500 mA
Collector-base voltage at a given reverse collector current and open emitter circuit
UCBO
<15 V<15 V<15 V<15 V<15 V<15 V<30 V<30 V<30 V<45 V<45 V<45 V<60 V<60 V
Voltage between the collector and the emitter of the transistor with an open base circuit and a given emitter current
UCEO
<15 V<15 V<15 V<15 V<15 V<15 V<30 V<30 V<30 V<45 V<45 V<45 V<60 V<60 V
Constant power dissipated on the transistor collector
PC
<200 mW
Static current transfer coefficient of bipolar transistor
hFE
20 ~ 6040 ~ 120>1280 ~ 240>30>20020 ~ 6040 ~ 12080 ~ 24020 ~ 6040 ~ 12080 ~ 16020 ~ 6040 ~ 120
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
ICB-R
<1 µA
Limit frequency of current transfer coefficient of a bipolar transistor
fh21
<5 MHz
Noise factor
NF
(not set)(not set)(not set)<5 dB<5 dB<5 dB(not set)(not set)<5 dB(not set)(not set)<5 dB(not set)(not set)
Bipolar transistor structure
Structure
PNP