ГТ806А

Documents

Parameter		ГТ806А	ГТ806Б	ГТ806В	ГТ806Г	ГТ806Д
Collector-base voltage at a given reverse collector current and open emitter circuit	U_CBO	<75 V	<100 V	<120 V	<50 V	<140 V
Voltage between the collector and the emitter of the transistor with an open base circuit and a given emitter current	U_CEO	<75 V	<100 V	<120 V	<50 V	<140 V
Constant power dissipated on the transistor collector	P_C	<2 W
Static current transfer coefficient of bipolar transistor	hFE	10 ~ 100
Обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_CB-R	<15 mA
Limit frequency of current transfer coefficient of a bipolar transistor	f_h21	<10 MHz
Bipolar transistor structure	Structure	PNP
Transistor collector power with heatsink	P_C-HS	<30 W

Nothing found